盖世汽车讯 1月10日，抖客网，新加坡科学、技术和研究机构(A*STAR)的微电子研究所(IME)和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作，开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件，为电动汽车和先进高压电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有技术，如Smart Cut™和IME的试验生产线来制造直径为200 mm的SiC半导体基板。

　　

    

　　(图片来源：Soitec)

　　此次联合研究将有助于开发一个整体的SiC生态系统，并提高新加坡和巴黎的半导体制造能力。该研究合作计划于2024年年中完成，旨在实现：

　　开发用于Smart Cut™ SiC基板SiC外延和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)制造工艺，以生产更高质量的微芯片晶体管，并在制造过程中降低不合格率的同时提高产量；

　　为在Smart Cut™ SiC基板上制造SiC功率MOSFET器件建立基准，并展示该工艺相较于传统体基板的优势。

　　Soitec首席技术官兼高级执行副总裁Christophe Maleville表示：“此次合作我们将有机会展示SmartSiC基板可扩展到200mm的性能，并为开发先进的外延解决方案铺平道路，以生产具有节能特性的更高质量的SiC晶圆。新加坡的半导体生态系统将受益于此，从而验证合理生产的SiC晶圆的卓越能效。”

原标题：【A*STAR微电子研究所和SOITEC合作 开发下一代碳化硅半导体】 内容摘要：盖世汽车讯 1月10日，新加坡科学、技术和研究机构(A*STAR)的微电子研究所(IME)和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作，开发下一代碳化硅(SiC)半导体器件，为电动汽车和先进高压电子设 ... 文章网址：https://www.doukela.com/qiche/70748.html； 免责声明：抖客网转载此文目的在于传递更多信息，不代表本网的观点和立场。文章内容仅供参考，不构成投资建议。如果您发现网站上有侵犯您的知识产权的作品，请与我们取得联系，我们会及时修改或删除。